如何正确涂隔离_如何正确涂隔离不卡粉

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长鑫存储取得隔离沟槽薄膜填充结构专利,避免后续形成的金属位线...金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法“,授权公告号CN107706145B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示,本发明提供一种隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法,...

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富特科技申请硬开关隔离DC/DC变换装置及电动汽车专利,实现低输入...金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,浙江富特科技股份有限公司申请一项名为“硬开关隔离DC/DC变换装置及电动汽车“,公开号CN117767761A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本申请提出了一种硬开关隔离DC/DC变换装置及电动汽车,涉及电源领域,对于硬开关...

∩▂∩ 晶合集成申请半导体器件的制备方法专利,通过氧化隔离块抑制离子向...执行刻蚀工艺刻蚀去除第一侧墙及第一侧墙正下方的部分衬底,以在衬底中形成凹槽;以及,去除第一氧化层,执行热氧化工艺形成第二氧化层填充凹槽且延伸覆盖衬底的表面,以凹槽中的第二氧化层作为氧化隔离块,氧化隔离块位于栅极两侧的衬底内;本发明通过氧化隔离块抑制离子向沟道扩...